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測(cè)試服務(wù)
Testing service
2025-12-26
3D NAND 因堆疊層數(shù)激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達(dá) 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷,根源在于膜層應(yīng)力與附著力失衡:沉積...
2026-01-23
洗邊本質(zhì)是通過消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時(shí),晶圓在高速旋轉(zhuǎn)下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴(kuò)散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...
2025-07-21
在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。這一過程的核心挑戰(zhàn)在于:如何在釋放可動(dòng)微結(jié)構(gòu)的同時(shí),避免因機(jī)...
2025-08-22
1.現(xiàn)有工藝復(fù)用優(yōu)先原則 2,新工藝開發(fā)的成本-風(fēng)險(xiǎn)模型 1.腐蝕液配方設(shè)計(jì)三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時(shí)腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...